更小、更薄、更轻！兆易创新超小尺寸3x3x0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI <span style='color:red'>NOR Flash</span>面世！
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更小、更薄、更轻！兆易创新超小尺寸3x3x0.4mm FO-USON8封装128Mb SPI NOR Flash面世！

　　今日宣布，兆易创新GigaDevice率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度仅为0.4mm，容量高达128Mb，是目前业界在此容量上能实现的最小塑封封装产品，可在应对大容量代码存储需求的同时，提供极大限度的紧凑型设计自由。　　近年来，随着物联网、可穿戴、健康监护、网通等应用的快速发展，市场需求变化多样，不仅要在精致小巧的产品形态中提供丰富的功能，还要具有极低功耗，以保障产品的长时间工作。而SPI NOR Flash作为这些设备中重要的代码存储单元，需提供更小、更薄、更轻的产品选择来满足这些不断变化的应用需求。　　GD25LE系列SPI NOR Flash是兆易创新旗舰型低功耗产品，此次新推出的3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH产品延续了LE系列的优异性能，其最高时钟频率133MHz，数据吞吐量高达532Mbit/s，极大提升了客户的系统访问速度和开机效率，同时在4通道133MHz时，读功耗仅为6mA，与行业同类产品相比，降低了45%的功耗，有效延长设备的续航时间。并且，更为重要的是GD25LE128EXH实现了128Mb容量产品上的超小尺寸，此前，业界128Mb容量产品的主流封装为6mm×5mm×0.8mm WSON8，而GD25LE128EXH采用的3mm×3mm×0.4mm超小尺寸的新型封装，面积缩小达70%，厚度减薄50%，能够显著节省85%的空间体积，并节省材料成本。　　除了尺寸优势显著提升之外，3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH与64Mb及以下容量的3mm×4mm×0.6mm USON8封装产品引脚兼容，无需调整PCB布局即可快速升级容量至128Mb，对于不同容量需求的方案，进一步简化了其兼容性要求的设计。　　兆易创新存储事业部执行总监陈晖先生表示：“作为业界领先的Fabless芯片供应商，兆易创新不仅是创新技术的提倡者，同时也是先进技术的践行者。此次率先推出超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封装的128Mb SPI NOR Flash，完美匹配了业界对小型化和高集成度的要求，并且基于此封装技术落地的首款产品GD25LE128EXH所具备的低功耗特性也使其适用于任何以电池供电的产品设计中。未来随着智能设备的不断升级，兆易创新预见大容量、小尺寸、低功耗的SPI NOR Flash产品将持续被业界需要。针对这一趋势，公司正在规划通过先进封装和存储技术开发其它容量、更小尺寸的存储产品，为客户提供更多样化的选择。”　　GD25LE128EXH现已量产，如有需求请联系AMEYA360电子元器件采购网或直接后台私信留言。
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发布时间：2023-05-16 10:28 阅读量：1848 继续阅读>>
关于<span style='color:red'>NOR Flash</span>的介绍
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关于NOR Flash的介绍

　　相对于硬件工程师和嵌入式软件工程师一般在完成设计之后常常需要验证FLASH是否在工作。在应用当中，也有很多时候需要对FLASH进行写操作。今天Ameya360电子元器件采购网给大家简单介绍了基于ARM芯片的NOR FLASH烧写，并提供了2个具体的实例和源代码，希望对有需要的朋友有点帮助。在开始之前，先声明一下，这篇文章只是介绍了如何写 NOR FLASH 的烧写驱动，和H-JTAG/H-FLASHER没有直接的联系。　　在后面的介绍里，如无特别说明，处理器指的是 ARM 处理器，FLASH 指的都是 NOR FLASH。另外，BYTE 指的是8-BIT的数据单元，HALF-WORD代表的是16-BIT的数据单元，而WORD 则代表了32-BIT的数据单元。　　1. NOR FLASH 的简单介绍　　NOR FLASH 是很常见的一种存储芯片，数据掉电不会丢失。NOR FLASH支持Execute ON Chip，即程序可以直接在FLASH片内执行。这点和NAND FLASH不一样。因此，在嵌入是系统中，NOR FLASH很适合作为启动程序的存储介质。　　NOR FLASH的读取和RAM很类似，但不可以直接进行写操作。对NOR FLASH的写操作需要遵循特定的命令序列，最终由芯片内部的控制单元完成写操作。从支持的最小访问单元来看，NOR FLASH一般分为 8 位的和16位的(当然，也有很多NOR FLASH芯片同时支持8位模式和是16 位模式，具体的工作模式通过特定的管脚进行选择) 。       对8位的 NOR FLASH芯片，或是工作在8-BIT模式的芯片来说，一个地址对应一个BYTE(8-BIT)的数据。例如一块8-BIT的NOR FLASH，假设容量为4个 BYTE。那芯片应该有8个数据信号D7-D0 和2个地址信号，A1-A0。地址0x0对应第0个 BYTE，地址0x1对应于第1BYTE，地址0x2对应于第2个 BYTE，而地址0x3则对应于第3 个BYTE对16位的 NOR FLASH芯片，或是工作在16-BIT模式的芯片来说，一个地址对应于一个HALF-WORD(16-BIT)的数据。       例如，一块16-BIT的 NOR FLASH，假设其容量为4个BYTE。那芯片应该有16 个数据信号线D15-D0 和1个地址信号A0。地址 0x0对应于芯片内部的第0个 HALF-WORD，地址0x1对应于芯片内部的第1个 HALF-WORD。 FLASH一般都分为很多个SECTOR，每个SECTOR包括一定数量的存储单元。对有些大容量的FLASH，还分为不同的BANK，每个BANK包括一定数目的SECTOR。FLASH的擦除操作一般都是以SECTOR，BANK或是整片FLASH为单位的。　　在对FLASH进行写操作的时候，每个BIT可以通过编程由1变为0，但不可以有0修改为1。为了保证写操作的正确性，在执行写操作前，都要执行擦除操作。擦除操作会把FLASH的一个SECTOR，一个BANK或是整片FLASH 的值全修改为0xFF。这样，写操作就可以正确完成了。　　2. ARM 处理器的寻址　　ARM 可以说是目前最流行的32位嵌入式处理器。在这里只提一下 ARM 处理器的寻址，为后面做个铺垫。从处理器的角度来看，系统中每个地址对应的是一个BYTE的数据单元。这和很多别的处理器都是一样的。　　3. 处理器和 NOR FLASH 的硬件连接　　从前面的介绍，我们知道从处理器的角度来看，每个地址对应的是一个 BYTE 的数据单元。而，NOR FLASH 的每个地址有可能对应的是一个BYTE的数据单元，也有可能对应的是一个HALF-WORD的数据单元。所以在硬件设计中，连接ARM处理器和 NOR FLASH时，必须根据实际情况对地址信号做特别的处理。　　如果ARM处理器外部扩展的是8-BIT的NOR FLASH， 数据线和地址线的连接应该如图1所示。 从图中我们可以看到，处理器的数据信号D0-D7和 FLASH的数据信号D0-D7是一一对应连接的，处理器的地址信号A0-An和NOR FLASH的地址信号A0-An 也是一一对应连接的。
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发布时间：2022-09-14 13:31 阅读量：2308 继续阅读>>
兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI <span style='color:red'>NOR Flash</span>产品系列
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兆易创新推出突破性1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品系列

    兆易创新今日宣布，推出突破性的1.2V超低功耗SPI NOR Flash产品——GD25UF系列。该系列在数据传输速度、供电电压、读写功耗等关键性能指标上均达到国际领先水平，在针对智能可穿戴设备、健康监测、物联网设备或其它单电池供电的应用中，能显著降低运行功耗，有效延长设备的续航时间。    随着物联网技术的发展，新一代智能可穿戴设备需要拥有更丰富的功能来满足消费者的需求，这种空间敏感型产品对系统功耗提出了更严苛的要求，希望进一步提升产品的续航能力。    从系统设计层面来看，一些先进工艺器件的工作电压已低至1.2V，如果所需的Flash可支持1.2V的电压操作，这对于主控而言，将能够有效简化电源设计并优化系统成本。    应此需求，兆易创新推出了GD25UF产品系列，该系列工作电压可扩展至1.14~1.6V，具有单通道、双通道、四通道、和DTR四通道的SPI模式，支持不同容量选择，能够满足智能设备所需的代码存储要求。    在读写性能方面    GD25UF最高时钟频率STR 120MHz，DTR 60MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年。    在安全性方面    该产品具有128bit Unique ID来实现加密效果，为应用带来高安全保障。    同时，为进一步满足低功耗的需求，GD25UF产品系列特别提供了Normal Mode和Low Power Mode两种工作模式。在Normal Mode下，器件读取电流在四通道120MHz的频率下低至6mA；在Low Power Mode下，器件读取电流在四通道1MHz频率下低至0.5mA，擦写电流低至7mA，睡眠功耗低至0.1uA。    相比于1.8V供电的SPI NOR Flash，1.2V GD25UF系列在Normal Mode下，相同电流情况下的功耗降低了33%，而在Low Power Mode下，相同频率下的功耗降低了70%，有效延长了设备的续航时间。    另外GD25UF系列产品的供电电压支持1.14~1.6V的宽电压范围，可显著延长单电池供电应用的使用寿命。并且该系列产品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP封装，全温度工作范围覆盖-40℃~85℃、-40℃~105℃、-40℃~125℃。    兆易创新存储器事业部执行总监陈晖先生表示：    “GD25UF系列产品进一步丰富了兆易创新的Flash Memory产品线。其具备的1.2V低电压和超低功耗模式可以帮助小容量电池供电设备提高续航能力，即使在不可避免的电池衰减过程中，也可以保持出色且稳定的运行状态，增加应用的可靠性。如今，电池续航能力已经成为消费者选购产品的重要指标，GD25UF系列产品的问世会是下一代可穿戴设备的理想选择。作为国内外鲜少拥有1.2V SPI NOR Flash产品线的企业，兆易创新走在了需求前端，为下一代应用的设计开发缓解了压力，从一定程度上缩短了客户的研发成本，让他们能够在日益激烈的市场竞争中保持领先地位。”    目前，兆易创新GD25UF系列可提供64Mb容量样品，更多容量产品将陆续推出，客户可在下方留言咨询！
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发布时间：2022-08-19 13:54 阅读量：2914 继续阅读>>
兆易创新推出1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI <span style='color:red'>NOR Flash</span>产品系列问世
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兆易创新推出1.2mm×1.2mm USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列问世

      半导体器件供应商兆易创新GigaDevice推出GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列，采用1.2mm×1.2mm USON6超小型塑封封装，厚度仅为0.4mm，在如此紧凑、轻薄的空间内，其功耗、电压范围等方面均实现了进一步提升，为消费电子、可穿戴设备、物联网以及便携式健康监测设备等对电池寿命和紧凑型设计有着严苛需求的应用提供了理想选择。　　如今，随着5G、物联网、AI等技术的不断迭代，在笔记本摄像头、智能遥控器、智能健康手环等采用电池供电的应用场景中，兆易创新对“小而精”的追求从未停止，这对应用其中的存储产品提出了更高的要求。一方面，需要提供足够的代码存储空间来满足设备正常运行需求；另一方面，也需要在尺寸和功耗方面追求精益求精，以适应电子设备日益小型化的趋势。　　针对这一市场需求，兆易创新推出的GD25WDxxK6 SPI NOR Flash产品系列采用仅为1.2mm×1.2mm的超小型USON6封装，相比于前一代1.5mm×1.5mm USON8封装产品，缩小了高达36%的占板面积，为空间受限的产品提供了更大的设计自由度。在低功耗设计方面，兆易创新将GD25WDxxK6系列的功耗控制在极低水平内，在待机状态下，电流仅为0.1μA，可显著延长电子设备的电池寿命。　　此外，为满足便携式电子产品的存储需求，GD25WDxxK6提供单通道、双通道SPI模式，具有1.65V~3.6V宽电压工作范围，支持512Kb~4Mb不同容量的选择，时钟频率可达104MHz，拥有10万次的擦写寿命，数据有效保存期限可达20年，且全系列支持-40℃~85℃, -40℃~105℃, -40℃~125℃温度范围。　　兆易创新存储事业部执行总监陈晖先生表示：“随着万物互联时代下的数据狂潮席卷而来，电子设备对于存储产品不断发出挑战，而兆易创新要做的就是从挑战中寻求突破。此次推出的1.2mm×1.2mm的超小型USON6 GD25WDxxK6 SPI NOR Flash，在方寸之间实现了优异性能。从小尺寸到低功耗，兆易创新从用户需求出发，不断推陈出新，再次将我们‘创新’的DNA发挥得淋漓尽致。”
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发布时间：2022-07-26 09:46 阅读量：2959 继续阅读>>
兆易创新进入三星产业链,<span style='color:red'>NOR Flash</span>获Galaxy S9采用
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兆易创新进入三星产业链,NOR Flash获Galaxy S9采用

大陆兆易创新序列式编码型快闪存储器(NOR Flash )成功打进三星 (Samsung)旗舰智能手机供应链，台湾厂商表示，目前NOR Flash市况依然稳定，并未受到影响。中国大陆厂商对市况的影响，是市场对今年NORFlash发展最关注的焦点。旺宏曾多次表示，今年高容量的高端产品仍将持续缺货，中国大陆厂商新产能开出的产品则不缺货。据拆解网站iFixit拆解报告指出，兆易创新成功打进三星旗舰智能手机供应链，32Mb的序列式NOR Flash获三星的Galaxy S9采用。市场关注，兆易创新NOR Flash在获得三星肯定采用后，是否会增强NOR Flash市场的竞争态势，进而影响市场秩序。业者表示，目前NOR Flash市况依然稳定，并未发现兆易创新有增强竞争的情况。
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发布时间：2018-04-03 00:00 阅读量：1483 继续阅读>>
中芯长电大量采购爱德万设备,抢攻<span style='color:red'>NOR Flash</span>
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中芯长电大量采购爱德万设备,抢攻NOR Flash

NOR Flash产业供需持续维持健康水准，继旺宏、华邦电等台系业者2017年营运翻红，后段封测的华东、菱生、南茂等也抢下不少NOR Flash封测订单，大陆相关封测业者也看中NOR Flash商机，中芯与长电合资的封测业者中芯长电首度向测试设备大厂爱德万采购NOR Flash测试设备，熟悉测试设备业者表示，存储器产业复苏的力道，可望持续3~5年。 中芯长电为中芯国际携手长电科技于2014年8月合资成立，获得集成电路产业投资基金与高通(Qualcomm)旗下子公司Qualcomm Global Trading Pte Ltd.的投资，从先进12吋凸块与晶圆测试起家，提供中段晶圆制造与测试服务，并拓展3D IC业务。 测试设备大厂爱德万测试与中段制程(MEOL)测试厂中芯长电正式签订大量采购合约。据此合约，中芯长电将自爱德万测试购入大量的存储器测试系统T5830，用于测试串列周边介面(SPI)NOR Flash设备，看好有机发光二极体(OLED)与触控面板感应芯片(TDDI)迅速成长的带动下，SPI NOR Flash设备需求持续走强。 尽管NOR Flash一度是国际大厂淡出的领域，2016年在NAND Flash的挤压下，NOR Flash市占率一度不到NAND Flash 10%，但国际大厂退出后，产能缺口则由台系业者补上，目前包括数码相机、游戏机、移动设备仍需要NOR Flash支持，而今年OLED面板移动设备除了三星电子外，又加上苹果(Apple)iPhone X跟进，另外TDDI芯片也随着台IC设计大厂逐步放量，NOR Flash供需持续紧张，而今年消费电子产品中推动NOR Flash大缺货的杀手级商品，更包括全球热卖的任天堂Switch游戏机，存储器业者认为，NOR Flash至少到明年上半，缺货状况恐怕都不会缓解，华邦电、旺宏今年产能也都已经被包下。 爱德万将供应中芯长电T5830存储器测试机，主力测试产品包括各类移动电子设备的各式存储器，提供最佳化的低成本大量测试能力，T5830系统能执行晶圆测试并为低脚位到高脚位IC提供最终测试。T5830系统资料传输速度最快可达800 Mbps，并能在配置4个数字脚位情况下，同时测试多达2304个设备。除了测试NOR Flash设备外，T5830系统也支持NAND Flash设备、智能卡、单列直插式存储器(SIM)、电子抹除式可复写唯读存储器(EEPROM)以及其他嵌入式存储器。
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发布时间：2017-12-15 00:00 阅读量：1126 继续阅读>>
获中芯国际2.5万片/月产能力挺,兆易创新<span style='color:red'>NOR Flash</span>增产全球30%
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获中芯国际2.5万片/月产能力挺,兆易创新NOR Flash增产全球30%

大陆NOR芯片供应龙头兆易创新，获当地晶圆代工一哥中芯国际力挺，全力抢进NOR Flash生产，中芯承诺每月提供兆易创新2.5万片产能、占全球NOR供应量近三成的规模，大举拓展大陆NOR Flash版图。 中芯力挺兆易创新，大举开出产能，为正处于缺货的NOR产业，投下一颗震撼弹，牵动旺宏、华邦电等台厂神经。 存储器厂商透露，兆易创新新增产能预定在明年第1季陆续投片，加计台湾主要供应商旺宏和华邦电，以及晶豪科等，也都同步增产抢食商机，恐让NOR芯片明年首季再掀价格战，其中尤期是中低容量产品，竞争压力加大。 台湾厂商也嗅到相关威胁，旺宏董事长吴敏求日前法说会上，释出本季“还看不太清楚”的讯息，指的就是NOR市场将遭大陆新增产能干扰的问题，预估低阶市场将先受到冲击。旺宏当时强调，该公司近年在品质和服务扎好基础，同时提升高阶产品比重，预料冲击有限。 NOR芯片在全球两大供应商赛普拉斯半导体（Cypress）和美光（Mircon）相继宣布淡出，但终端需求大开下，今年大缺货，报价翻涨，年初以来每季均涨价，应用在汽车和商务型电脑的高阶产品更是大排长龙。 NOR大缺货，大陆厂商格外眼红，全球第四大、大陆最大NOR存储器供应商兆易创新，今年6月即积极想扩大NOR产出，但碍于矽晶圆缺货，中芯无力支援，武汉新芯也转向全力支援自家生产，使得兆易创新到处碰壁，增产数量有限。 不过，官方全力发展存储器的政策方针，为兆易创新打开新机。业界透露，兆易创新获中芯力挺，中芯承诺以每月提供2.5万片产能给兆易创新，为其代工生产NOR存储器，以目前全球NOR存储器每月产量约8.8万片计算，增产的数量近三成之多。 加上台湾两大厂旺宏和华邦电也都同步增产NOR芯片，以存储器代工为主的力晶，也宣布将配合晶豪科，重启NOR产能，相关产能陆续到位，若加上武汉新芯也大举投入，都为原本供不应求的NOR型快闪存储器，投下新变数。 台湾两大供应商也加入扩产。华邦电宣布，中科厂预定今年底月产能将由4. 4 万片，增至4.8万片，未来将再增加到5.2万至5.3万片，必要时可再增至5.5万片时，新增主要增产NOR芯片；旺宏下半年将高阶产品移至12吋生产更新的制程生产。
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发布时间：2017-11-14 00:00 阅读量：1963 继续阅读>>
iPhone X 增产35%-45%,华邦电<span style='color:red'>NOR Flash</span>产能全被包下
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iPhone X 增产35%-45%,华邦电NOR Flash产能全被包下

凯基投顾分析师郭明錤（Ming-Chi Kuo）上周末发布报告指出，iPhone X先前遭遇的产出瓶颈已全部克服，苹果与供应商正努力提高本季iPhone X产出至2600万支左右。 整体来看，郭明錤推估本季iPhone产出将比前季增加35%-45%，理由是iPhone X推出后大受市场好评，加上中国农历年前备货需求。 另一方面，郭明錤预期iPhone 8本季产出可能大减五至六成，原因是大一号的iPhone 8 Plus动能较预期强劲，恐侵蚀到原属于iPhone 8的需求。在此状况下，iPhone 8代工厂部分产线将改产iPhone X，以助平衡市场供需。 苹果似乎也看到最高端iPhone X的需求强劲，不仅预期本季营收介于840-870亿美元之间，且获利可能是史上最好。除此之外，郭明錤进一步看好iPhone X销售动能有望延续至2018年。 而据供应链消息，苹果已要求零组件供应商扩大供货，存储器厂华邦电受惠于NORFlash打进iPhoneX及AppleWatch供应链，第四季接单满载。 据业界消息指出，华邦电第四季开始NORFlash每月产能增加4000～5000片投片量，但新增产能已全数被苹果包下。 法人表示，苹果iPhoneX大卖，AppleWatchSeries3销售情况亦优于预期，近期要求所有零组件供应商积极备货提高库存，华邦电第四季新增的NOR Flash产能等于已被苹果包下，明年上半年产能也几乎全部卖光。
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发布时间：2017-11-14 00:00 阅读量：1277 继续阅读>>
NOR FLASH需求爆增,Q4继续涨15%,GD半年多赚一倍
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NOR FLASH需求爆增,Q4继续涨15%,GD半年多赚一倍

由于美光、赛普拉斯淡出NOR Flash，专注高容量的车用和工规领域，旺宏、华邦电和晶豪科到年底的订单已全数被抢购一空，明年即使增加产能，仍将供不应求。其中，华邦电产能几乎被苹果抢购一空，并优先供应三星等一线手机厂商，供应链传出，NOR Flash第四季度合约价再度调涨15%，这是继第三季度调涨10%~20%后，价格再向上推升，成为下半年涨势最凶猛的内存产品。 新应用成长惊人，NOR FLASH需求爆增 受智能手机导入AMOLED面板、触控IC及驱动IC整合单芯片及物联网三大新应用，带动NOR Flash强劲需求，加上美系二大供货商淡出市场的影响显现，NOR Flash第4季报价将再调涨15%%，涨幅与本季相近，凸显NOR型内存供货短缺。这些新应用领域，每个都以上亿颗起跳，都让这项内存元件身价看涨。   因苹果新手机将导入OLED面板，得搭载NOR芯片维持手机色彩饱和，预料明年三款手机会全数导入，加上非苹果也跟进，推估NOR内存芯片是上亿颗起跳，这也是目前旺宏、华邦电、晶豪科和兆易创新、武汉新芯、长江存储和力晶等看到这波商机，急着增产的关键，不过从增产的幅度来看，到明年难仍填补美系二大厂淡出的缺口。 华邦电是NOR Flash主要供货商之一，去年单月出货超过2亿颗。华邦电董事长焦佑钧曾形容，这项元件虽然单价低，但就像米和饭一样，缺米就不能煮饭吃，是电子产品不可或缺的元件，其重要性由此可见。   据悉，兆易创新（GD）今年上半年针对物联网（IoT）市场，推出了超低功耗的NOR Flash产品；适用性广泛的1.65V~3.6V宽电源电压NOR Flash产品实现量产；适用车载和高性能市场，支持DDR接口的高速度传输速率NOR Flash研发成功并量产；同时增加对高容量产品的研发，自研的SLCNAND Flash实现量产。 MCU、NOR缺货危机，GD半年大赚一倍 日前，兆易创新发布2017上半年财报显示，上半年实现营业收入9.39亿元，同比增长43.29%；归属于上市公司股东的净利润1.79亿元，同比增99.59%，半导体及元件行业平均净利润增长率为26.22%。 报告期内，兆易创新持续推进先进工艺技术，NOR Flash稳步推进45nmNOR Flash产品研发，保持在NOR Flash技术的业界领先，为公司在高容量产品的市场扩大和产品竞争力做好技术储备；NAND Flash在原来量产产品的基础上，调试优化24nm技术产品并取得显著进展，为后续推出高容量和特性丰富的NAND产品线做好技术储备。 在MCU产品系列方面，兆易创新持续打造MCU产品线的竞争力，加大扩展市场占用率，并加强产品在各个阶层应用的覆盖率。上半年，兆易创新陆续推出基于168MHzCortex-M4内核的GD32F403系列高性能基本型微控制器新品，以均衡的系统资源和外设配置为高级运算需求提供了高性价比之选；推出主频108MHz的GD32F330/350多个系列超值型微控制器新品；推出指纹识别FPR系列专用MCU，可为指纹识别系统提供安全高速又极具成本优势的硬件开发平台。 中报指出，兆易创新在上半年加大研发投入，丰富上述产品线，适应市场应用需求的同时，也在优化供应链管理，积极应对产能紧张。今年上半年，全球半导体产业供应链产能偏紧张，而需求增加明显，市场出现供不应求。兆易创新凭借与外协厂商多年积累的良好协作关系，优化供应链管理，调配各供应商产能，同时强化供应链各环节的产销衔接，针对新产品、新应用开发、新技术和新流程，降低成本，提高良率，维持稳定供货。 中报披露，兆易创新的运营管理坚持市场化和国际化路线，产品研发、运营和销售区域直接面向全球，客户包括Intel、三星、佳能等国际一线厂商，对业务拓展提供了良好的前景。同时运营坚持市场化方向，产品以客户为导向，紧紧围绕客户现在和未来潜在需求定义开发产品及运营。 目前兆易创新是中国大陆领先的闪存芯片设计企业。根据中国半导体行业协会数据，自2012年以来，兆易创新为中国大陆地区最大的代码型闪存芯片本土设计企业，也是最大的串行NOR Flash设计企业；根据TrendForce数据，2016年兆易创新NOR Flash全球营业收入市占率7%，排名全球第5。
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发布时间：2017-08-29 00:00 阅读量：1298 继续阅读>>
NOR FLASH行业进入寡头时代?这背后与硅晶圆有啥关系
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NOR FLASH行业进入寡头时代?这背后与硅晶圆有啥关系

今年以来半导体硅晶圆市场出现八年以来首度涨价情况，其主要原因在于供需失衡。晶圆代工大厂台积电、三星电子、英特尔等提高制程，20nm以下先进工艺占比不断提高，加大对高质量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特尔、美光、东芝等全力转产3D NAND，投资热潮刺激300mm大硅片的需求。同时工业与汽车半导体、CIS、物联网等IC芯片开始快速增长，大陆半导体厂商大举建厂扩产，带来新的硅片需求增量。供给方面，硅片厂集中在日韩台，前六大厂商市占98%，在硅片需求紧俏的情况下，上游硅片厂也并没有传出扩产计划，供需缺口不断拉大。同时，过去几年8寸硅晶圆逐步被12寸替代，其供货量持续下降，但是自2015年以来兴起的汽车半导体、CIS传感器、微控制器等芯片仍然以8寸晶圆为主，因此8寸晶圆也出现紧缺情况。 根据国际半导体产业协会的数据，2015年底全球300mm硅片的产能为510万片/月，预计2017年和2018年其产能分别为525万/月和540万片/月。根据市场份额第二位的硅片厂日本SUMCO的数据，2016下半年全球300mm硅片的需求已经达到520万片/月，预计2017年和2018年全球300mm硅片的需求分别为550万片/月和570万片/月。 近期，全球硅晶圆巨头日本信越、日本Sumco、德国Siltronic均上调了2017年第一季度12寸硅晶圆合约价10%-20%。且目前供不应求的情况未发生明显改变，二季度合约价可能再调涨，8寸硅晶圆将可能涨价。 大厂淡出，行业集中度提升 年初消息称美光计划拟处理旗下NOR芯片事业，计划把重心放在成长和应用快速成长的DRAM和NAND FLASH快闪存储器等产品上。美光是NOR FLASH市场上龙头厂商之一，2016年占据了18%的市场份额。但由于NOR FLASH总体市场规模小，为美光创造的收入却在连年下降。在美光的分产品营收中，2016年NOR FLASH营收仅为3.75亿美元，占比3.1%，这与2012年以9.77亿美元占比12.6%相比下滑不少。昔日境况不复存在，美光抛售NOR FLASH业务在情理之中，也会成为大概率事件。 此外，兆易创新由于晶圆片供货商策略转向，因而影响供给兆易创新的晶圆片数量，导致兆易创新产能出现下滑。赛普拉斯也将逐步淡出中低容量的NOR FLASH市场，转向为专注在车用和工控的市场。 曾经飞索的破产和三星的退出使NOR FLASH行业重新洗牌，同年美光称霸，台湾厂商崛起，NOR FLASH涨价，行业迎来一波反弹。参照历史，美光和赛普拉斯的策略转变将强化NOR的寡头垄断格局，优化竞争结构，同时收缩上游供给，助力NOR FLASH行业迎来确定性上涨。
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发布时间：2017-08-03 00:00 阅读量：1354 继续阅读>>

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